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內存巨頭 Micron 已向重要客户開始出貨其 HBM4 內存樣品，在下一代人工智能硬件開發方面達到了重要里程碑。這標誌着業界首次正式提供 HBM4 技術樣品，使 Micron 在為人工智能和高性能計算應用提供先進內存解決方案的競爭中領先於競爭對手 Samsung 和 SK Hynix 。主要客户平台NVIDIA：Vera Rubin 數據中心 GPU（預計 2026 年底推出）AMD：Instinct MI400 服務器處理器市場地位：首家正式提供 HBM4 樣品的公司競爭對手：Samsung 和 SK Hynix 預計將跟進革命性性能飛躍新的 HBM4 內存模塊相比前代產品實現了卓越的性能提升。每個 36GB 模塊通過 2048 位接口實現超過 2TB/s 的帶寬，相比上一代 HBM3E 內存性能大幅提升 60%。這一顯著改進源於模塊約 7.85 GT/s 的數據傳輸速率，大大增強了內存為數據密集型人工智能處理器供應數據的能力。HBM4 與 HBM3E 性能對比規格HBM4HBM3E容量36GB最高 36GB接口位寬2048-bit1024-bit數據傳輸速率~7.85 GT/s最高 9.2 GT/s峯值帶寬>2TB/s最高 1.2TB/s性能提升相比 HBM3E 提升 60%-功耗效率提升 20%-先進製造工藝與效率Micron 的 HBM4 採用了該公司成熟的 1-beta DRAM 工藝技術，結合精密的 12 層先進封裝。內存組件使用基於 Micron 1ß 工藝製造的 24GB DRAM 器件，而邏輯基礎芯片則由 TSMC 使用其 12FFC+ 2nm 級或 N5 5nm 級邏輯工藝技術生產。除了原始性能之外，HBM4 模塊還實現了令人印象深刻的功耗效率提升，相比當前解決方案，在大規模人工智能系統中的功耗降低超過 20%。關鍵技術規格內存配置：12層堆疊設計製造工藝： Micron 1ß（1-beta） DRAM 工藝邏輯芯片： TSMC 12FFC+（2納米級）或 N5（5納米級）特殊功能：內存內置自測試（ MBIST ）目標應用： AI 和 HPC 處理器量產時間：預計2026年戰略客户整合Micron HBM4 樣品供應的時機與主要客户的開發週期戰略性地保持一致。NVIDIA 即將推出的 Vera Rubin 數據中心 GPU 預計將成為首批採用 HBM4 技術的產品之一，計劃於 2026 年底推出。AMD 的 Instinct MI400 服務器處理器也是新內存技術的另一個重要整合目標。Micron 已集成內存內置自測功能，以簡化合作夥伴開發下一代人工智能平台的整合過程。市場領導地位與未來展望作為首家正式開始 HBM4 樣品供應的公司，Micron 在快速增長的人工智能內存市場中建立了競爭優勢。該公司計劃在 2026 年某個時候開始 HBM4 的批量生產，這與領先的人工智能處理器開發商開始其下一代芯片大規模生產的時間相吻合。這一協調的時間安排確保了人工智能硬件生態系統的無縫整合和高效批量提升，支持人工智能應用在各個行業的持續擴展。